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电子元器件详细资料 » IC[33707] » ZXMN3A02N8TA
型号:ZXMN3A02N8TA类别:FET - 单制造商:Diodes Inc
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 30V 5.3A 8-SOIC
系列-
制造商Diodes Inc
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C7.3A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C25 毫欧 @ 12A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2221V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs26.8nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1400pF @ 25V
功率_最大1.56W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装8-SO
包装剪切带 (CT)

供应商

深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市晶美隆科技有限公司李林0755- 82519391 0755-83209630
深圳市楷瑞达科技电子有限公司朱先生13528893675
深圳市集创讯科技有限公司吴小姐0755-83244680/82865294
深圳市向鸿伟业电子有限公司李先生0755-82561519
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